GaN10-US A+C+C 3-pò GaN chajè (65W)

Deskripsyon kout:

Sòti
Pò sèl: sèl C1 (MaxPD65W):
DC5V-3A 9V-3A 12V-3A 15V-3A 20V-3.25A
PPS: 3.3V-16.0V-3.25A; PPS: 3.3V-21.0V-3.00A
Single C2 (MaxPD20W):
Sòti pò sèl: DC5V-3A 9V-2.22A 12V-1.67A
PPS: 3.3V-5.9V-3.0A; PPS: 3.3V-11.0V-1.8A
Single A1 (Max18W): DC5V-3A 9V-2A 12V-1.5A
Sòti plizyè pò: C1 (MaxPD45W) + C2 (MaxPD20W): 65W Max;
C1 (Maksimòm PD45W) + A1 (18W): 63W Maksimòm; C2 + A1 (Maksimòm 15W): 15W Maksimòm;
1 (Maksimòm PD45W) + (C2 + A1) Maksimòm 15W: Maksimòm 60W
Pwa 113±1g Dimansyon 70*45.5*32mm


Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

GaN10-US A+C+C 3-pò GaN chajè (65W)

Solisyon GaN, sipòte QC2.0 3.0 4.0, chaj rapid AFC FCP SCP PD2.0/3.0,

VOOC/DASH/WARP, MIK-PE+2.0 sipòte pwotokòl PPS chaje rapid,

epi li sipòte chaje rapid pou Laptop.

FONENG GaN10 (1)

FONENG GaN10 (3)

FONENG GaN10 (4)

FONENG GaN10 (11)


  • Anvan:
  • Apre:

  • Ekri mesaj ou a isit la epi voye l ban nou