Зарадная прылада GaN GaN10-UK A+C+C з 3 партамі (65 Вт)

3-портавая зарадная прылада GaN GaN A+C+C (65 Вт) GaN10-UK

Уваход 110-240 В 50/60 Гц

Выхад

Адзін порт: адзін C1 (MaxPD65W):

DC5V-3A 9V-3A 12V-3A 15V-3A 20V-3.25A

PPS: 3,3 В - 16,0 В - 3,25 А; PPS: 3,3 В - 21,0 В - 3,00 А

Адзін C2 (MaxPD20W):

Адзін выхадны порт: DC5V-3A 9V-2.22A 12V-1.67A

PPS: 3,3 В - 5,9 В - 3,0 А; PPS: 3,3 В - 11,0 В - 1,8 А

Адзін A1 (макс. 18 Вт): DC5V-3A 9V-2A 12V-1,5 A

Шматпортавы выхад: C1 (MaxPD45W) + C2 (MaxPD20W): 65W макс.

C1 (макс. 45 Вт) + A1 (18 Вт): макс. 63 Вт; C2 + A1 (макс. 15 Вт): макс. 15 Вт;

1 (макс. PD45 Вт) + (C2 + A1) макс. 15 Вт: макс. 60 Вт

Вага 117±1 г Памер 81,5*45,5*32 мм

3-портавая зарадная прылада GaN GaN A+C+C (65 Вт) GaN10-UK

Рашэнне GaN, падтрымлівае хуткую зарадку QC2.0 3.0 4.0, AFC FCP SCP PD2.0/3.0,

VOOC/DASH/WARP, MIK-PE+2.0 падтрымлівае хуткую зарадку па пратаколе PPS,

і падтрымлівае хуткую зарадку для ноўтбука.

Папярэдняе: Зарадная прылада GaN GaN10-EU A+C+C з 3 партамі (65 Вт)

Далей: Зарадная прылада GaN GaN10-US A+C+C з 3 партамі (65 Вт)

Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам